МОСКВА, 20 апр - РИА Новости. Совет директоров ОАО "Роснано" одобрил два новых инвестиционных проекта по производству карт памяти и микросхем суммарным бюджетом почти 17 миллиардов рублей, сообщает пресс-служба компании.
"Роснано" вложит в эти проекты около 6,9 миллиардов рублей собственных средств.
Согласно решению совета директоров, в России впервые будет организован выпуск модулей памяти по нормам технологического процесса 32 нанометра. Производство создадут посредством трансфера технологий дизайна и корпусирования карт флэш-памяти стандарта SD (Secure Digital)/MiniSD/MicroSD и USB 1.1/2.0/3.0.
Еще одним проектом в области электроники станет производство микросхем магниторезистивной памяти по технологическим нормам 90 нанометров.
Магниторезистивная память - перспективный вид энергонезависимой памяти, близкий по своим характеристикам к оперативной памяти, но потребляющий значительно меньше электроэнергии и позволяющий хранить данные в течение длительного времени даже после выключения электропитания.
Окончательные параметры новых инвестпроектов будут обнародованы после подписания инвестиционных соглашений между их участниками, отмечается в сообщении.
ОАО "Роснано" создано в марте 2011 года путем преобразования из госкорпорации.
При перепечатке и цитировании (полном или частичном) ссылка на РИА "Новости" обязательна. При цитировании в сети Интернет гиперссылка на сайт http://ria.ru обязательна.
Комментарии отключены.
