СИРИУС, 23 сен - РИА Новости. Ситуация с научной базой для микроэлектроники России меняется по ряду направлений, создаются новые технологические отечественные разработки, отвечающие запросам мирового уровня, заявил глава РАН Геннадий Красников.
В Сириусе с 23 по 28 сентября проходит юбилейный форум "Микроэлектроника".
"Научная база у нас всегда была замечательная в области микроэлектроники и квантовых технологий. Главная беда была - мало инвестиций, чтобы внедрять научный результат, потому что это энергоемко и капиталоемко. Многие наши учёные в связи с этим уезжали за рубеж, потому что там, на их взгляд, казалось больше возможностей по внедрению научных результатов. Сейчас ситуация меняется, и мы видим, как здесь представлены те разработки, которые у нас идут, в том числе, с внедрением, как получаются результаты мирового уровня. Это области особо чистых материалов, области электронного машиностроения и области технологий, в том числе, создание новых видов памяти на других принципах", - сказал Красников журналистам на полях форума "Микроэлектроника" в Сириусе.
Отвечая на вопрос, достигла ли Россия в части производства микроэлектроники конкурентноспособного уровня в сравнении с лидерами подобных технологий, как Тайвань или Китай, Красников отметил, что во многом отечественные разработки превосходят зарубежные.
"Скажем, по фоторезистам мы опережаем Китай, по разработкам фоторезистов для микроэлектроники, в области электронного машиностроения, и это доказанная практика. Есть и квантовые технологии, которые представляет ФИАН имени П.Н. Лебедева РАН - это платформа для квантовых вычислителей, ионная платформа. Наши исследования все отвечают мировому уровню", - заключил Красников.
Форум "Микроэлектроника" проводится с 2015 года, это отечественная коммуникационная площадка, эксперты и политики обсуждают вопросы научно-технологического развития микро- и радиоэлектронной отрасли, реализацию промышленных и инновационных проектов, создание цифровой экономики и обеспечения безопасности и технологического суверенитета страны.
При перепечатке и цитировании (полном или частичном) ссылка на РИА "Новости" обязательна. При цитировании в сети Интернет гиперссылка на сайт http://ria.ru обязательна.
