Москва, 24 июля. /МФД-ИнфоЦентр, MFD.RU/
"Роснано" будет участвовать в проекте по созданию оптических компонентов для сетей передачи данных. Об этом МФД-ИнфоЦентр сообщили в пресс-службе компании.
Наблюдательный совет "Роснано" одобрил участие корпорации в проекте создания высокотехнологичного предприятия по производству арсенид галлиевых пластин, чипов и оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров. Основным продуктом проекта будут являться чипы и оптические компоненты на основе вертикально-излучающих лазеров для использования в оптических устройствах высокоскоростной передачи данных для локальных сетей, активных оптических кабелях, суперкомпьютерах, межсоединениях перспективного стандарта USB 3.0, 4.0. По прогнозам аналитиков корпорации, к 2014 г. мировой рынок оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров достигнет 1.4 млрд долл., по сравнению с 300 млн долл. в 2008 г., за счет замещения медных межсоединений более скоростными, компактными и помехоустойчивыми оптоволоконными системами. Для реализации проекта корпорация совместно с разработчиком и владельцем технологий, компанией VI-Systems GmbH (Германия) и внешним финансовым соинвестором организуют в городе Санкт-Петербург совместное предприятие с уставным капиталом 600 млн руб. Доля корпорации в проектной компании составит 45.01%, VI-Systems GmbH - 35%, доля соинвестора -H - 35%, доля соинвестора - 19.99%. Дополнительно, при успешном выполнении задач первого этапа проекта, корпорация предоставит проектной компании заем на сумму до 500 млн руб. на приобретение эпитаксиального оборудования для расширения производства. Суммарные инвестиции в проект достигнут 1.1 млрд руб. Запуск промышленного производства планируется на 2 квартал 2011 г., а выход на проектную мощность – в 2014 г., когда выручка компании превысит 2.3 млрд руб. Как отметил управляющий директор "Роснано" Константин Деметриу, реализация проекта позволит создать в России компанию, одного из лидеров мирового рынка вертикально-излучающих лазеров, и дать толчок развитию в стране ряда смежных высокотехнологичных производств: от интегральных микросхем до оптических активных кабелей. Научную поддержку проекту в России будут осуществлять Физико-Технический Институт им. А.Ф. Йоффе и Институт физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск).
Комментарии отключены.
